多功能砷化镓电晶体

摘要

本发明系首先将砷化镓／砷化铟镓(GaAs/InGaAs)材料系统与＄－掺杂技术运用于实空间传导电晶体（Real SpaceTransfer Transistor)者，且为首次利用欧姆凹槽(ohmicRecession)技术研制成功四端型同时具有场效电晶体（ＦＥＴ）与实空间传导（ＲＳＴ）特性的元件。本发明之多功能电晶体可应用于高速，低杂讯及高功率之微波振荡器与放大器。

主权项

1. 一种多功能砷化镓电晶体,其中之结构(一)系以 成长在10@su1@su9cm@su-@su3之n型砷化镓(n@su+-GaAs) 基板上,成长 0.35m砷化镓(210@su1@su5cm@su-@su3),接着为0.15 m砷化镓(510@su1@su4cm@su-@su3),20nm之n型砷化 镓(n@su+-GaAs),(510@su1@su8cm@su-@su3),最后为 50nm砷化镓(510@su1@su4cm@su-@su3)。2. 一种多功能砷化 镓电晶体,其中之结构(二)系以 成长在10@su1@su9cm@su-@su3之n型砷化镓(n@su+-GaAs) 基板上,成长 0.35m砷化镓(210@su1@su5cm@su-@su3),接着为0.15 m砷化镓(510@su1@su4cm@su-@su3),—矽掺杂层( silicon —doping layer)5.510@su1@su2cm@su-@su2 ),最后为50nm砷化镓(510@su1@su4cm@su-@su3)。3. 一种多 功能砷化镓电晶体,其中之结构(三)系以 成长在10@su1@su9cm@su-@su3之n型砷化镓(n@su+-GaAs) 基板上,成长 0.35m砷化镓(210@su1@su5cm@su-@su3),接着为0.15 m砷化镓(510@su1@su4cm@su-@su3),9nm未掺杂砷化 铟镓层(undoped In@ss0@ss.@ss2@ss5Ga@ss0@ss.@ss7@ ss5As layer),10nm砷化镓(510@su1@su4cm@su-@su3) ,—矽掺杂层(silicon —doping layer)2.510@ su1@su2cm@su-@su2),最后为50nm砷化镓(510@su1@ su4cm@su-@su3)。4. 一种多功能砷化镓电晶体,其中之 结构(四)系以 成长在10@su1@su9cm@su-@su3之n型砷化镓(n@su+-GaAs) 基板上,成长 0.35m砷化镓(210@su1@su5cm@su-@su3),接着为0.15 m砷化镓(510@su1@su4cm@su-@su3),—矽掺杂层( silicon —doping layer)1.610@su1@su2cm@su-@ su24nm砷化镓(510@su1@su4cm@su-@su3),—矽掺杂 层(silicon —doping layer)1.610@su1@su2cm@su-@ su210nm砷化镓(510@su1@su4cm@su-@su3),9nm未掺杂 砷化铟镓层(undoped In@ss0@ss.@ss2@ss5Ga@ss0@ss.@ ss7@ss5As layer),10nm砷化镓(510@su1@su4cm@su-@ su3),—矽掺杂层(silicon —doping layer)1.610@su1@ su2cm@su-@su24nm砷化镓(510@su1@su4cm@su-@ su3),—矽掺杂层(silicon —doping layer)1.610@su1@ su2cm@su-@su2,最后为50nm砷化镓(510@su1@ su4cm@su-@su3)。5. 一种制作多功能砷化镓电晶体结 构方法,系以低压有 机金属汽相沉积(LP—MOCVD)法成长在n型砷化镓(n@su+ - GaAs)基板上,进行隔绝岛的制作、欧姆接触的金属 化( ohmic contact metalization)、肖特基(Schottky)接触 的金属化,而后进行有机金属汽相沉积法成长(MOCVD )。6. 如申请专利范围第5项之方法,其隔绝岛的制 作系上光 阻、曝光、显影后以氨水:双氧水:水(5:3:100)溶液 蚀刻至非掺杂砷化镓(undoped GaAs)缓冲层,作为隔绝 岛 再用丙酮去除光阻。7. 如申请专利范围第5项之方 法,其欧姆接触的金属化( ohmic contact metalization)系以金占88%,锗占12%之 金锗合金作为汲极、源极与基板背面集极之欧姆 接触材料 ,经上光阻、曝光、显影、蚀刻覆盖层,形成欧姆 凹槽, 并于其上镀一层银,再经清洗步骤去除油脂,以正 光阻剂 作出汲极和源极的光罩。图示简单说明: 表(1)成长条件 表(2)结构各层之传输资料 图1均匀掺杂(uniformly doped)结构(一) 1 源极(source) 2 闸极(gate) 3 汲极(drain) 4 集极(collector) 图2—掺杂砷化镓通道(delta—doped GaAs channel)结 构(二) 1 源极(source) 2 闸极(gate) 3 汲极(drain) 4 集极(collector) 5 —掺杂通道(delta—doped channel) 图3单层—掺杂砷化铟镓通道(InGaAs channel)结构( 三 ) 1 源极(source) 2 闸极(gate) 3 汲极(drain) 4 集极(collector) 5 —掺杂通道(delta—doped channel) 图4多层—掺杂砷化铟镓通道结构(四) 1 源极(source) 2 闸极(gate) 3 汲极(drain) 4 集极(collector) 5 1—掺杂通道(delta—doped channel) 6 2—掺杂通道(delta—doped channel) 7 3—掺杂通道(delta—doped channel)