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EL DESCUBRIMIENTO ES RELATIVO UN SISTEMA (100) DE REACTOR TERMICO PARA PROCESAR SEMICONDUCTORES, EL CUAL INCORPORA UNA VASIJA DE REACCION (104) CON UN TUBO DE CUARZO (110) RECTANGULAR CON UN ESCUDETE (111-115) DE CUARZO PARALELO REFORZANDOLO. LOS ESCUDETES HABILITAN UN SUB-AMBIENTE DE PRESION DE PROCESO, MIENTRAS QUE LOS TUBOS RECTANGULARES MAXIMIZAN EL FLUJO DE GAS REACTIVO, UNIFORMEMENTE SOBRE EL SUSTRATO QUE SE PROCESA. LOS ESCUDETES FACILITAN EL ENFRIAMIENTO EFECTIVO, MIENTRAS QUE IMPARTEN MINIMAMENTE CALENTAMIENTO DESDE LA VASIJA, PERMITIENDO ESPESORES MINIMOS DE LA PARED. EL SISTEMA DE REACTOR TERMICO INCLUYE ADICIONALMENTE UNA FUENTE (102) PARA SUMINISTRAR GAS REACTIVO Y UN SISTEMA (106) DE MANEJO DE LA EXPULSION PARA ELIMINAR LOS GASES AGOTADOS DE LA VASIJA DE REACCION Y ESTABILIZAR LA PRESION EN ELLA. UNA SERIE ORDENADA DE LAMPARAS (136) INFRARROJAS SE EMPLEA PARA RADIAR ENERGIA A TRAVES DEL TUBO DE CUARZO; LAS LAMPARAS ESTAN DISPUESTAS ESCALONADAS EN RELACION A LOS ESCUDETES DE CUARZO PARA MINIMIZAR EL APANTALLAMIENTO. ADICIONALMENTE, SE DESCUBREN OTRAS GEOMETRIAS DE VASIJAS NO CILINDRICAS PROTEGIDAS, LAS CUALES SE PROVEEN PARA MEJORAR EL SUB-AMBIENTE DE PRESION TERMICA PROCESANDO SUSTRATOS DE SEMICONDUCTORES.FIG 1.
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