发明名称 Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers
摘要 플라즈마 향상 원자층 증착 (PEALD)을 사용하여 유전층 상에 전도 금속 층을 형성하는 방법을, 관련 조성 및 구조와 함께 제공한다. 플라즈마 배리어 층은 PEALD로 전도층을 증착하기 전에 비-플라즈마 원자층 증착 (ALD) 공정으로 유전층 상에 증착된다. 플라즈마 배리어 층은 유전층에 대한 PEALD 공정에서 플라즈마 반응물의 유해한 영향을 감소 또는 방지하며 부착성을 향상시킬 수 있다. 동일한 금속 반응물은 비-플라즈마 ALD 공정 및 PEALD 공정 모두에서 사용될 수 있다.
申请公布号 KR101648062(B1) 申请公布日期 2016.08.12
申请号 KR20117018444 申请日期 2010.01.08
申请人 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 发明人 밀리건 로버트 비.;리 동;마르쿠스 스티븐
分类号 H01L21/205;H01L21/31 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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