发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors
摘要
申请公布号 DE4445345(A1) 申请公布日期 1996.06.27
申请号 DE19944445345 申请日期 1994.12.19
申请人 ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE, DAEJEON, KR;KOREA TELECOMMUNICATION AUTHORITY, SEOUL/SOUL, KR 发明人 RYUM, BYUNG-RYUL, DAEJEON, KR;HAN, TAE-HYEON, DAEJEON, KR;CHO, DEOK-HO, DAEJEON, KR;LEE, SOO-MIN, DAEJEON, KR;LEE, SEONG-HEARN, DAEJEON, KR;KANG, JIN-YOUNG, DAEJEON, KR
分类号 H01L21/331;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/331 主分类号 H01L21/331
代理机构 代理人
主权项
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