功率纵向场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供了一种制造纵向场效应晶体管器件的方法，所述方法包括；制成-n型源层12；制成-P+掺碳栅层14；由栅层制成一栅结构；在栅结构上制成-n型漏层以得到一隐埋式掺碳栅结构。所述隐埋式掺碳栅结构提供一小型化且具有良好的导通电阻，结电容，栅极电阻和栅极驱动电压的器件。本发明还包括了其它的器件和方法。

主权项

1.一种制造纵向场效应晶体管器件的方法，其特征在于，包 括：制造—n型源层；在所述源层上制造—P⁺掺碳的栅层；由所述 栅层制造一栅结构，在所述栅结构上制造—n型漏层。