| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项的物品,其中有机材料选自 -6T 及-8T,两者都可有或可无上述的置换物。3.如申 请专利范围第2项的物品,其中有机材料包含低于0 .1重量百分比的卤素。4.如申请专利范围第3项的 物品,其中有机材料是-6T, 熔点约为313℃。5.如申请专利范围第4项的物品,其 中该层有机材料是一 多晶层,平均的微晶大小至少为2m。6.如申请专 利范围第1项的物品,其中该薄膜电晶体的源 /汲极电流的开/关比高于10@su5。7.如申请专利范围 第1项的物品,其中该有机材料沈积时 传导率最多为510@su-@su8s/cm。8.一种制造包含-mT 活性层的薄膜电晶体的方法,其中m =4,6或8,终端环上的4-或5-碳都可有或可无置换,该 方法包含 (a)供应一定量的-mT,该-mT的制法包含以-(m/2) 吩基,在有机溶剂中去除第5位置的质子;及 (b)在一基体上沈积一层上述的-mT;其特征在制造 该定 量的-mT的方法又包含: (c)在该有机溶剂中将该去质子的-(m/2)吩基与 无卤 化氧化剂接触,以形成含有-mT的混合物;及 (d)自该混合物中将上述的-mT分离。9.如申请专 利范围第8项的方法,其中去质子-(m/2) 吩基为5-锂--3吩基,且该-mT为-6T。10.如申 请专利范围第8项的方法,其中步骤(d),包含以 溶剂洗涤该-mT。11.如申请专利范围第8项的方法 ,其中步骤(d)包含在惰 性环境下再结晶该-mT。12.如申请专利范围第8项 的方法,其中步骤(d)包含在真 空中昇华该-mT。13.如申请专利范围第9项的方法 ,其中步骤(d)包含以溶 剂洗涤该-6T,在惰性环境下再结晶该-mT,并在 真空 中昇华该-mT。14.如申请专利范围第8项的方法, 其中该层-mT包含微 晶,且其中该方法包将该层-mT加热至低于该-mT 熔点 的温度,以使至少一些上述的微晶增大。15.如申请 专利范围第14项的方法,其中该-mT为-6T ,上述的加热步骤时间上最多为10秒,而该温度在295 至 315℃的范围内,上述的至少一些微晶增大至平均大 小为2 m或更大。16.如申请专利范围第14项的方法,其中 该加热步骤导致 该-mT层的传导率下降。 图示的简单说明: 图一是前案薄膜电晶体的架构例示图; 图二和图三是本发明薄膜电晶体的架构例示图; 图四和图五是本发明两种薄膜电晶体的汲极电流 与汲极电 压特性曲线资料,其中传导率略有差异; 图六和图七分别是本发明的-6T与前案一例的- 6T的X 射线绕射图; 图八是本发明的-6T的差动扫瞄计热(differential scanning calorimetry)资料; 图九是包含本发明薄膜电晶体的主动矩阵液晶显 示器的驱 |
