鳍型堆叠式电容器的制法

摘要

本发明是一种高密度动态随机存取记忆体(Dynamic Random Access Memory；DRAM)之电容器的技术。藉着化学机械式抛光技术(Chemical Mechanical Polishing；CMP)和多层薄膜的均向性蚀刻技术，形成一种鳍型结构之改良堆叠式电容器(Capacitor With Fin Structure)。由于化学机械式抛光技术提供了平坦的地形地势，本发明之方法比传统方法更稳定，良率更高，适合大量生产。

主权项

2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所述【电晶体】含有闸氧化层(Gate Oxide)、闸极(GateElectrode),侧壁子(Spacer)与源极/汲极(Source/Drain)。图示简单说明:图一至图十一是本发明之实施例的制程剖面图(CrossSection)。图一是在半导体基板上形成场效电晶体后的制程剖面图;图二是沉积【第一绝缘层】和位元线接触窗(BitLineContact)后的制程剖面图;图三是形成位元线(Bit Line)后的制程剖面图;图四是形成【第二绝缘层】与【第三绝缘层】,并平坦化所述【第三绝缘层】后的制程剖面图;图五是形成【第四绝缘层】、【第五绝缘层】与【第六绝缘层】后的制程剖面图;图六是利用微影技术与电浆蚀刻技术蚀去所述【第一绝缘层】、【第二绝缘层】、【第三绝缘层】、【第四绝缘层】、【第五绝缘层】与【第六绝缘层】,以形成源极接触窗(Node Contact)后的制程剖面图,其中,是以均向性蚀刻技术(Isotropically)蚀去所述【第三绝缘层】和【第五绝缘层】;图七是沈积一层第一复晶矽层(First Polysilicon)后的制程剖面图,所述搀杂的【第一复晶矽层】跨过所述【源极接触窗】;图八是利用微影及蚀刻技术在【电容器区域】以外之区域蚀去所述【第一复晶矽层】后的制程剖面图;图九是利用化学溶液或蚀刻技术去除所述【第三绝缘层】、【第四绝缘层】、【第五绝缘层】与【第六绝缘层】后的制程剖面图;图十是形成一层厚度极薄的电容器介电层(CapacitorDielectric)和【第二复晶矽层】后的制程剖面图;图十一是利用微影及蚀刻技术制定(Pattern)所述电容器介电层和所述【第二复晶矽层】之图案,以形成电容器的