| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项之方法,尚包括步骤有:在该半导体基质上面,形成仅源极光阻光罩层,该光罩具有边界,与闸极结构对齐,并且延伸盖住该源极区域;将一种多量掺杂离子植体,植入该源极区域内,该源极区域系自动与该闸极结构对齐;以及移去该仅源极光阻光罩层。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该等形成该仅源极光阻光罩层,将多量掺杂离子植入该源极区域内、和移去该仅源极光阻光罩层等步骤,在执行上系尾随上述LDD光阻光罩层移除步骤之后,及领先上述隔片形成步骤之前。4.如申请专利范围第1项之方法,其中之闸极结构系由多晶矽形成。5.如申请专利范围第1项之方法,其中之隔片系由如二氧化矽等氧化物形成。6.如申请专利范围第1项之方法,其中之隔片系由如氮化矽等氮化物形成。7.如申请专利范围第1项之方法,其中之隔片系由多晶矽形成。8.一种制造多数个纯LDD MOS电晶体之方法,该等电晶体,系包括第一导电型式之电晶体,和与此第一导电型式相对立之第二导电型式的电晶体,各电晶体系形成于一种电晶体结构该电晶体结构系包括:半导体基质之电晶体区域、覆盖在该电晶体区域上面的闸极结构、侧立于该闸极结构之第一侧之电晶体区域的源极区域、和侧立于该闸极结构另一与该第一侧相对立之第二侧之电晶体区域的汲极区域,此种方法所包括之步骤有:在该半导体基质上面形成第一导电型式之LDD光阻光罩层,该光罩具有边界与该第一导电型式电晶体之闸极结构对齐,并且延伸盖住该第一导电型式电晶体之汲极区域,以及延伸盖住该第二导电型式电晶体之整个电晶体区域;在该第一导电型式电晶体汲极区域内,植入一种少量掺杂离子植体,该汲极区域系自动与该闸极结构对齐;移去该第一导电型式LDD光阻光罩层;在该闸极结构上面,形成第二导电型式之LDD光阻光罩层,该光罩具有边界,与该第二导电型式电晶体之闸极结构对齐,并且延伸盖住该第二导电型式电晶体之汲极区域,以及延伸盖住该第一导电型式电晶体之整个电晶体区域;在该第二导电型式电晶体汲极区域内,植入一种少量掺杂离子植体,该汲极区域系自动与该闸极结构对齐;移去该第二导电型式LDD光阻光罩层;在该闸极结构之源极侧与汲极侧形成隔片;在该半导体基质上面,形成第一导电型式之源极/汲极光阻光罩层,该光罩系延伸盖住该第二导电型式电晶体之整个电晶体区域;在该第一导电型式之源极和汲极区域内,植入一种第一导电型式多量掺杂离子植体,该等区域系自动与该闸极结构和该等隔片对齐;在该闸极结构上面,形成第二导电型式之源极/汲极光阻光罩层,该光罩层系延伸盖住该第一导电型式电晶体之整个电晶体区域;以及在该第二导电型式之源极与汲极区域内,植入一种第二导电型式多量掺杂离子植体,该等区域系自动与该闸极结构和该等隔片对齐。9.如申请专利范围第8项之方法,其尚包括之步骤有:在该半导体基质上面,形成第一导电型式仅源极光阻光罩层,该光罩具有边界与该第一导电型式电晶体之闸极结构对齐,并且延伸盖住该第一导电型式电晶体之源极区域,以及延伸盖住该第二导电型式电晶体之整个电晶体区域;将一种多量掺杂离子植体,植入该第一导电型式电晶体之源极区域内,该区域系自动与该闸极结构对齐;移去该仅源极光阻光罩层;在该半导体基质上面,形成第二导电型式仅源极光阻光罩层,该光罩具有边界,与该第二导电型式电晶体之闸极结构对齐,并且延伸盖住该第二导电型式电晶体之源极区域,以及延伸盖住该第一导电型式电晶体之整个电晶体区域;将一种多量掺杂离子植体,植入该第二导体型式电晶体之源极区域内,该区域系自动与该闸极结构对齐;以及移去该仅源极光阻光罩层。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该等形成该仅源极光阻光罩层、将多量掺杂离子植入该源极区域内、和移去该仅源极光阻光罩层等步骤,在执行上系尾随上述LDD光阻光罩层移除步骤之后,及领先上述隔片形成步骤之前。11.如申请专利范围第8项之方法,其中之闸极结构系由多晶矽形成。12.如申请专利范围第8项之方法,其中之隔片系由如二氧化矽等氧化物形成。13.如申请专利范围第8项之方法,其中之隔片系由如氮化矽等氮化物形成。14.如申请专利范围第8项之方法,其中之隔片系由多晶矽形成。图示简单说明:第1(a)至1(j)图系描述依据本发明之实施例,在积体电路 |
