| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项之检测器,其中该电阻元件 系一 温度系与该辐射成正比之温度依附电阻器。3.如 申请专利范围第1项之检测器,其中该参考电压施 加 电路包括一电晶体。4.如申请专利范围第1项之检 测器,其中该输出电压感测 电路包括一前置放大器。5.如申请专利范围第1项 之检测器,其中该参考电压系零 伏特。6.如申请专利范围第1项之检测器,其中该第 一电压系小 于该参考电压,而该第二电压系大于该参考电压。 7.如申请专利范围第1项之检测器,其中该像素检测 器系 一检测器阵列中之检测器。8.如申请专利范围第1 项之检测器,其中该参考电压系每 秒施加60次者。9.一种用以于像素检测器检测物体 其相对背景位准之辐射 强度之方法,包括下述步骤: 制备一电阻元件,此元件之电阻系视投射在检测器 上之辐 射强度而定,其并具有第一与第二端; 制备一积分元件,其系耦合于该电阻元件之第一端 ; 将该第一端设定为参考电压; 将该辐射去焦,俾使投射在该检测器上之辐射系与 该背景 辐射位准成正比,及将第一电压施至该电阻元件之 第二端 ,俾使该积分元件放电至背景电压位准; 将该辐射聚焦,俾使投射在该检测器上之辐射得与 发自该 物体之辐射成正比,并将第二电压施加于该电阻元 件之第 二端,俾使该积分元件充电至输出电压位准;以及 感测该输出电压位准。10.如申请专利范围第9项之 方法,其中该电阻元件系一温 度系与该辐射成正比之温度依附电阻器。11.如申 请专利范围第9项之方法,其中该积分元件系一电 容器。12.如申请专利范围第9项之方法,其中该参 考电压系零伏 特。13.如申请专利范围第9项之方法,其中该第一 电压系小于 该参考电压,而该第二电压系大于该参考电压。14. 如申请专利范围第9项之方法,其中该设定、去焦 、聚 焦、及感测步骤系重覆执行者。15.如申请专利范 围第14项之方法,其中该设定、去焦、 聚焦、及感测步骤系依每秒60次之方式执行者。 图示简单说明: 图1系包含有第一较佳实施例之辐射热计之红外线 检测器 系统之方块图; 图2系像素检测器之概略图; 图3系显示一例示性输出电压; 图4系第一较佳实施例之定时图;以及 |
