| 摘要 |
<P>Transistor bipolaire à colonnes comprenant un substrat semiconducteur (21) d'un premier type de conductivité ayant au moins trois régions en tranchées, et des première et deuxième structures en colonne (10, 20) formées entre les régions en tranchées; une région de collecteur (23) formée sous les première et deuxième structures en colonne et dans la deuxième structure en colonne, et dopée avec une impureté d'un deuxième type de conductivité; une région de base extrinsèque (24) enfouie dans les régions en tranchées; une couche d'oxyde (34) formée entre la région de base extrinsèque et le substrat; une région de base intrinsèque (27) du premier type de conductivité formée dans une portion centrale de la première structure en colonne; une portion de connexion (25) formée entre la région de base extrinsèque et la région de base intrinsèque pour relier électriquement la région de base extrinsèque à la région de base intrinsèque; une région d'émetteur (28) du deuxième type de conductivité formée dans une portion supérieure de la première structure en colonne; et des électrodes formées à travers des orifices de contact sur les régions d'émetteur, de collecteur et de base.</P> |
