| 摘要 |
<P>L'invention concerne une mémoire électriquement programmable et un procédé pour écrire dans cette mémoire. Pour éviter une dégradation de l'information dans une cellule de mémoire par suite de nombreux cycles d'écriture dans les autres cellules de la même ligne, on prévoit qu'avant chaque écriture d'un mot dans une ligne on effectue la séquence suivante: on lit systématiquement tous les mots de la ligne (circuit de lecture CL), en utilisant trois potentiels de référence de lecture différents (Vref, VRB, VRH), en vue de trouver une cellule pour laquelle les trois lectures donnent des résultats non-concordants. Et on stocke tous les mots de la ligne dans un registre (REG). Si on trouve effectivement une non-concordance, indiquant une dégradation d'information dans la ligne, on réécrit systématiquement tous les mots de la ligne.</P>
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