PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE

摘要

Procédé de fabrication d'un transistor bipolaire comprenant les étapes consistant à former une région (22) de collecteur enfouie conductrice dans un substrat en silicium (21) par implantation ionique d'une impureté et recuit thermique; former l'une après l'autre plusieurs couches; éliminer sélectivement les deuxièmes couches de nitrure et de polysilicium pour former un motif; former l'une après l'autre une deuxième couche d'oxyde de silicium, une troisième couche et une troisième couche d'oxyde de silicium par-dessus; former une couche d'agent photorésistant à motif par-dessus pour définir des régions active et inactive et éliminer plusieurs couches sur la région active pour former une ouverture; former une paroi latérale sur les deux côtés de l'ouverture; former un collecteur (31) sur une portion de surface de la région de collecteur enfouie jusqu'à une surface inférieure de la couche de polysilicium; éliminer la paroi latérale et la troisième couche de nitrure pour mettre à nu une surface latérale de la deuxième couche de polysilicium; former sélectivement une base sur une surface supérieure du collecteur comprenant une surface latérale de la deuxième couche de polysilicium; former une première couche d'oxyde de paroi latérale sur les deux côtés de la base et l'oxyde de silicium pour définir une région d'émetteur; former un émetteur (34) sur la base; et former des électrodes (36) par-dessus.