| 摘要 |
매몰 비트라인 DRAM셀 및 그 제조방법이 개시되어 있다. 소자분리를 위한 반도체 기판 내의 종방향 트랜치 내부에 매몰되어 형성된 비트라인, 상기 비트라인에 수직 방향으로 상기 기판 상에 형성된 게이트 상기 게이트를 둘러싸도록 형성된 제1절연층, 상기 게이트의 양쪽에 형성된 트랜지스터의 소오스 및 드레인, 상기 제1절연층 사이에 형성되고, 상기 드레인과 상기 매몰된 비트라인을 접속하는 비트라인 콘택, 및 상기 제1절연층 사이에 형성되고, 상기 소오스와 스토리지전극을 연결하기 일해 형성된 매몰콘택을 구비하는 것을 특징으로 하는 매몰 비트라인 DRAM셀을 제공한다. 상기 구조에 의하면, 종래 BBL셀에서 발생되던 게이트와 비트라인 사이의 미스얼라인 문제나 열공정에 과다하게 노출되는 문제를 해결할 수 있으며, 디자인 룰 상의 마진을 향상시킬 수 있다. |
