| 摘要 |
본 발명은 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 게이트전극의 양측면에 샌드위치 형상으로 반도체층 패턴과 고농도 불순물층을 형성하고, 콘택홀을 통하여 상기 상하측의 고농도 불순물층을 소오소/드레인전극과 연결하여 TFT를 형성하였으므로, 게이트전극의 양측면이 채널이 되므로 TFT의 채널길이 및 채널폭의 비를 일정 수준 이상으로 유지하며 TFT의 크기를 감소시켜 LCD의 개구율을 증가시켜 고화소화 및 고정세화에 유리하다. |
