| 摘要 |
본 발명은 액정표시장치용 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 투명기판상에 절연막을 형성하고, 상기 절연막에서 소오스/드레인전극이 형성되기로 예정되어 있는 부분을 노출시키는 제1감광막패턴을 형성하여 이를 마스크로 홈을 형성한 후, 상기 제1감광막패턴을 제거하고, 상기 구조의 전표면에 도전층을 도포하여 상기 홈을 메운 도전층상에 상기 제1감광막패턴과는 다른 형의 감광액으로 동일한 노광마스크를 사용하여 제2감광막패턴을 형성하여 이를 마스크로 상기 노출되어 있는 다결정실리콘층을 식각하여 표면을 평탄화하여 상기 홈을 메우는 소오스/드레인전극을 형성하고, 상기 소오스/드레인전극 상측에 채널에 되는 반도체층 패턴을 형성한 후, 후속 공정을 진행하여 스테거드형 TFT를 형성하였으므로, 상기 소오스/드레인전극과 게이트전극의 경계 부분에서 단차가 커지지 않으므로 게이트산화막이나 필드산화막이 얇아져 배선들이 단락되는 것을 방지할 수 있어 공정수율 및 소자동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. |
