电可擦可编程序只读存储器及其制造方法

摘要

一种EEPROM，它包括覆盖浮栅一侧面和源电极某一部分的选择栅和覆盖浮栅另一侧面和漏电极某一部分的控制栅，EEPROM在电荷耦合率方面得到改善，即使在低的外加电压情况也使编程效率增加。低的外加电压加于EEPROM，使外围晶体管的栅氧化膜结击穿电压降低，结果可能使用浅结和薄栅氧化膜工艺。利用离子注入工艺可能实现浅结，结果形成源极和漏极。

主权项

1.一种制造EEPROM的方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成栅氧化膜；在栅氧化膜上面形成浮栅；在浮栅的整个表面和露出的半导体衬底上面形成第1层间绝缘膜；在第1层间绝缘膜的区域，从半导体衬底的一部分到浮栅上表面的一部分形成选择栅；利用浮栅和选择栅作为掩模，把杂质注入到半导体衬底，形成源极和漏极，所述的杂质与半导体衬底中杂质类型不同；在最终获得的结构的整个表面形成第2层间绝缘膜；腐蚀位于选择栅上面的部分第2层间绝缘膜，以便露出接触孔，通过该接触孔使选择栅露出；形成控制栅，它通过接触孔和选择栅相互接触，并且保护浮栅的未覆盖的上表面。