| 发明名称 |
Two-dimensional epitaxial growth of III-V compound semiconductors |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2295830(A) |
申请公布日期 |
1996.06.12 |
| 申请号 |
GB19940024787 |
申请日期 |
1994.12.08 |
| 申请人 |
* ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE |
发明人 |
BUN * LEE;MEE-YOUNG * YOON;JONG-HYEOB * BAEK |
| 分类号 |
H01L21/20;(IPC1-7):C23C16/30;H01L21/205 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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