以电感耦合氮气电浆来抑止经氟化硼布植之P型晶矽中硼穿透效应之新方法

摘要

一种以电感耦合氮气电浆来抑止经氟化硼布植之Ｐ型复晶矽中硼穿透效应之新方法，系利用电感耦合氮气电浆(ICNP)方式产生一层氮化层在氧化层与复晶矽间形成能障，可以让硼离子不易穿透；其方法如下：矽晶片经过清洗后成长一层氧化层，之后在电感耦合电浆(Inductively Coupled plasme，ICP)之系统通入N2，并调整其RFpower至150w～250w，进行N2电浆表面处理后，再送入低压化学气相沈积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition， LPCVD)系统，堆叠复晶矽2000A，然后再打入BF2+、50 Kev、5E15atom/c㎡后，再经900℃不同时间之退火，除去表面氧化层，镀A1作成MOS电容，量测电性。

主权项

1. 一种以电感耦合氮气电浆来抑止经氟化硼布植之P型复晶矽中硼穿透效应之新方法,该方法如下:414. 从晶片开始至下一步骤氧化层成长与双闸极互补式金氧半电晶体(COMS)相同;415. 矽晶片经过清洗后,送入高温炉中。在900-1000℃通入O@ss2成长50-120埃之氧化层;416. 将晶片送入ICP系统通入N@ss2,power 100-300W,时间为1-30分钟;411. 再叠上一层或多层之复晶矽约1000-3000埃;(1) 离子布植BF@ss2,能量为30-70KeV,布植量为1X10@su1@su5-1X10@su1@su6atom/cm@su2;(2) 晶片再清洗一次;(3) 晶片再推入高温炉通入N@ss2或O@ss2在800-1000℃退火10-30分钟;(4) 之后之制程与双闸极互补式金氧半电晶体(COMS)相同;藉由上述之方法产生一层氮化层在氧化层与复晶矽间形成能障,可以让硼离子不易穿透。图示简单说明:图一为本发明之制程;图二为显示本发明经过ICNP处理过之氧化层在其与复晶矽基板间,氮原子含量之比较图;图三为对ICP 150W,10min, ICP 250W,10min及没有ICP之试片对退火(900℃)后其Flatbandvoltage之测量图;图四为对ICP 150W,10min, ICP 250W,10min及没有ICP之试片之低频之电压电容图;及图五为对ICP 150W,10min, ICP 250W,10min及没有ICP之