| 发明名称 |
MANUFACTURE OF SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
JPH08153678(A) |
申请公布日期 |
1996.06.11 |
| 申请号 |
JP19940319085 |
申请日期 |
1994.11.28 |
| 申请人 |
MITSUBISHI MATERIALS CORP;CHIKYU KANKYO SANGYO GIJUTSU KENKYU KIKO |
发明人 |
KAMIYAMA EIJI;TOMIYAMA YASUYOSHI |
| 分类号 |
C23C16/32;H01L21/203;H01L21/205;(IPC1-7):H01L21/203 |
主分类号 |
C23C16/32 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
