| 发明名称 |
MANUFACTURE OF SELF-ALIGNED T-GATE GALLIUM ARSENIDE METAL SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH08148507(A) |
申请公布日期 |
1996.06.07 |
| 申请号 |
JP19940315387 |
申请日期 |
1994.12.19 |
| 申请人 |
KANKOKU DENSHI TSUSHIN KENKYUSHO |
发明人 |
RI KEIKOU;BEI INKEI;KATA HIROKI;KIN KEISHIYU |
| 分类号 |
H01L29/812;H01L21/285;H01L21/335;H01L21/338;(IPC1-7):H01L21/338 |
主分类号 |
H01L29/812 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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