| 摘要 |
<p>Eine Reaktionskammer (2) wird von einer gasdichten Wandung (20) umschlossen, die wenigstens auf der der Reaktionskammer (2) zugewandten Innenseite (21) aus durch einen CVD-Prozeß hergestelltem Siliciumcarbid besteht. Wenigstens ein Teil des Siliciumcarbids der Wandung (20) wird sublimiert und auf einem Keimkristall (3) als Siliciumcarbid-Einkristall (4) aufgewachsen.</p> |
