一种太阳能电池的制造方法及其太阳能电池

摘要

一种太阳能电池(10)，具有至少一个半导体衬底表面(12)，其上设有升高部分(24，26，28)，在升高部分上构成导出载流子的导电接触层(20)，并至少在导电接触层之间覆盖一层钝化材料(16)。为了能用简单的工艺制造高效率的太阳能电池，在构成升高部分后将半导体衬底表面全面地或绝大程度全面地用钝化材料覆盖。然后去除掉升高部分上的钝化材料及必要时除去其上的半导体材料。随后在升高部分裸露区域上设置形成导电接触层的材料。

主权项

1.太阳能电池(10，46，80，82，94，124，144，210，236，258)， 包括一种半导体衬底(12，110，126，146，160，212，238)，在其中由射 入的光能产生载流子，后者能通过一个电场被分开而然后经由导电接 触层(20，40，42，44，100，102，114，130，156，164，218，230，254，257)被 导出，其中： 至少在一个半导体衬底表面上设有具有侧面(34，36，38)的升高 部分(24，26，28，116，118，136，138，148，150，168，220，222，224，240， 242，274)及在其上构成传导出载流子的导电接触层， 该半导体衬底表面至少在接触层之间的区域上用构成一个钝化层 (16，98，134，158，162，246，260，276)的钝化材料覆盖，及 接触层设置在原先覆盖钝化层材料而后又从其上去除该钝化材料 并在必要时也除去半导体材料的升高部分的顶部区域上，并且至少局 部地延伸到侧面的钝化材料上， 其特征在于：在升高部分(24，26，28，116，118，136，138，148，150， 168，220，222，224，240，242，274)中的钝化层(16，98，134，158，162， 246，260，276)至少局部地是一个做成平台状的区段(35，37，39， 140)，其侧面(34，36，38)从该区域延伸出来，且在在该区域中半导 体材料或者一个设置在该材料上的层被裸露出来；以及构成导电接触 层(20，40，42，44，100，102，114，130，156，164，218，230，254)的材料延 伸在该平台区域上并且至少延伸到从平台区域延伸出的侧面的一个上。