| 发明名称 |
Field effect transistor with thin barrier layers and a thin doped layer |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0522952(B1) |
申请公布日期 |
1996.06.05 |
| 申请号 |
EP19920401940 |
申请日期 |
1992.07.06 |
| 申请人 |
FRANCE TELECOM |
发明人 |
GERARD, JEAN-MICHEL;FAVRE, JACQUES |
| 分类号 |
H01L29/80;H01L21/338;H01L29/205;H01L29/225;H01L29/778;H01L29/43;H01L29/812;(IPC1-7):H01L29/778;H01L29/36 |
主分类号 |
H01L29/80 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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