| 发明名称 |
METHOD FOR GROWING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
JPH08143396(A) |
申请公布日期 |
1996.06.04 |
| 申请号 |
JP19940286956 |
申请日期 |
1994.11.21 |
| 申请人 |
NIPPON STEEL CORP |
发明人 |
TAKAHASHI ATSUSHI;OTANI NOBORU;KATSUNO MASAKAZU |
| 分类号 |
C30B23/00;C30B29/36;H01L21/203;(IPC1-7):C30B29/36 |
主分类号 |
C30B23/00 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
