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发明名称 METHOD OF FORMING MEMORY CELL OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
摘要
申请公布号 JPH08139210(A) 申请公布日期 1996.05.31
申请号 JP19940277455 申请日期 1994.11.11
申请人 NEC CORP 发明人 KOYAMA KENICHI
分类号 H01L21/8247;H01L21/265;H01L21/336;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L21/824 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
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