首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung mit Polysiliziumwiderstandsschichten
摘要
申请公布号 DE4244771(C2) 申请公布日期 1996.05.30
申请号 DE19924244771 申请日期 1992.12.02
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 IKEGAMI, MASAAKI, ITAMI, HYOGO, JP;HIGUCHI, TETSUO, ITAMI, HYOGO, JP
分类号 H01L21/02;H01L27/08;(IPC1-7):H01L21/822;H01L21/320 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com