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发明名称 Methode zur Beseitigung von elektrischen Ladungen, welche sich auf dem Halbleitersubstrat während der Ionenimplantation aufbauen
摘要
申请公布号 DE69024172(T2) 申请公布日期 1996.05.30
申请号 DE19906024172T 申请日期 1990.10.24
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP 发明人 YOSHIDA, YUKIMASA, YOKOHAMA-SHI, KANAGAWA-KEN, JP;OKUMURA, KATSUYA, YOKOHAMA-SHI, KANAGAWA-KEN, JP
分类号 H01J37/02;H01J37/317;H01L21/265;(IPC1-7):H01L21/265 主分类号 H01J37/02
代理机构 代理人
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