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发明名称 MOS-Feldeffekttransistor
摘要
申请公布号 DE68925092(T2) 申请公布日期 1996.05.30
申请号 DE19896025092T 申请日期 1989.09.14
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP 发明人 MIKATA, YUUICHI C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIVISION, MINATO-KU TOKYO 105, JP;USAMI, TOSHIRO C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIVISION, MINATO-KU TOKYO 105, JP
分类号 H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/78 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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