具有供补偿过擦除操作用的侧壁分隔栅非易失半导体器件

摘要

在非易失半导体存储器件中，包括半导体基片(1)、在半导体基片上方形成的浮栅(FG)、和在浮栅上方形成的控制栅(CG)、在控制栅和浮栅侧壁上形成的分隔栅(8S)，并与控制栅进行电连接。在该半导体基片中，在控制栅和分隔栅的侧面上形成源区(11S)和漏区(11D)。

主权项

1.一种非易失半导体存储器件，它包括：第一导电型半导体基片(1)；在所述半导体基片上形成的第一绝缘层(3)；在所述第一绝缘层上形成的浮栅(4)；在所述浮栅上形成的第二绝缘层(5)；在所述第二绝缘层上形成的控制栅(6)，所述控制栅与所述浮栅自对准；在所述浮栅的侧壁上和在源极侧边上的控制栅上形成的第三绝缘层(7)；在所述第三绝缘层上形成的分隔栅(8S)，所述分隔栅与所述控制栅进行电连接；与所述第一导电型对置的第二电导型的源极区(11S)，形成在所述分隔栅外面的所述半导体基片之中；以及所述第二导电型的漏极区(11D)，形成在所述控制栅和与所述源极区对置的所述浮栅外面的所述半导体基片之中。