发明名称 |
磁补偿式霍尔电流传感器用非晶磁芯制法 |
摘要 |
本发明涉及一种用于磁补偿式霍尔电流传感器的软磁非晶切割磁芯的制法。其特征在于化学成分(at%)为:FezNiyMxSi7-10B12-15(其中M为Mo或Mn,0.5<X≤5,32<Y≤40,z为余量),横磁退火工艺为:退火温度400~430℃。与传统的坡莫合金磁芯相比,本发明方法生产的磁芯其主要优点为原材料成本低,易于制造;具有极低剩磁感应强度、低矫顽力和更好频率特性,可改善传感器的响应时间和测量精度。 |
申请公布号 |
CN1031848C |
申请公布日期 |
1996.05.22 |
申请号 |
CN91111757.1 |
申请日期 |
1991.12.29 |
申请人 |
首都钢铁公司 |
发明人 |
张家骥;涂国超;史长利 |
分类号 |
H01F1/153;H01F41/02;G01R19/00 |
主分类号 |
H01F1/153 |
代理机构 |
北京市石景山区华夏专利事务所 |
代理人 |
牛照祥 |
主权项 |
1、一种特别适用于磁补偿式霍尔电流传感器的软磁非晶切割磁芯制法,采用单辊法制成非晶带材,绕成环形或跑道形磁芯,磁芯进行横磁退火,再经固化处理成型,最后进行气隙切割,其特征在于化学成分(at%)为:FezNiyMxSi7-10B12-15(其中M为Mo或Mn),0.5<X≤5,32<Y≤40,z为余量,横磁退火工艺为:退火温度400~430℃。 |
地址 |
100041北京市石景山 |