| 主权项 |
1.一种制造半导体器件电容器的方法，该方法包括以下各步骤：在一块半导体衬底上形成底绝缘膜，并在该底绝缘膜上淀积第一绝缘膜；在第一绝缘膜形成后，采用接触掩模，在所得到的结构中形成接触孔，以便通过该接触孔部分地露出半导体衬底；在接触孔形成后所得到的结构上形成第一导电层，通过接触孔使第一导电层与半导体衬底接触；在第一导电层上形成第二绝缘膜，并在第二绝缘膜上形成第一存储电极掩模；选择地生长第二绝缘膜，因而形成一层延伸到预定高度的选择生长的氧化膜在第一存贮电极掩模和选择生长的氧化膜上形成第二存贮电极掩模，使第二存贮电极横向伸展在其每一侧超出第一存贮电极掩模一预定的宽度；采用第二存贮电极掩模，依次刻蚀选择生长的氧化膜、第二绝缘膜及第一导电层的预定部位，于是形成选择生长的氧化膜图形；去掉第二存贮电极掩模和第一存贮电极掩模，并在掩模去除后所得到的结构上形成预定厚度的第二导电层；各向异性地腐蚀第二导电层，于是形成第二导电层间隔层；采用第二导电层间隔层作掩模刻蚀第二绝缘膜，并在第二绝缘膜刻蚀后所得到的结构上形成预定厚度的第三导电层；各向异性地腐蚀第三导电层和第一导电层，于是形成第三导电层间隔层和第一导电层图形；以及采用湿式腐蚀法去掉选择生长的氧化膜图形、第一绝缘膜和第二绝缘膜图形，因而形成具有增大表面面积的圆筒形存贮电极。 |
