发明名称 工件的湿化学处理方法
摘要 本发明涉及一种对工件,特别是半导体晶片,实施湿化学处理的方法,其是将工件暴露于经充气的处理介质流体中,该经充气的处理介质流体,是将气泡均匀地分散于一液体内而生成。
申请公布号 CN1031852C 申请公布日期 1996.05.22
申请号 CN94105740.2 申请日期 1994.05.12
申请人 瓦克硅电子半导体材料有限公司 发明人 马克斯·施塔勒;冈特·施瓦布;彼得·罗米德
分类号 H01L21/306;B08B3/08 主分类号 H01L21/306
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 刘国平
主权项 1.一种对半导体工件实施湿化学处理的方法,其中,是将半导体工件暴露于经充气的处理介质流体中,该方法包括:在一进料泵中将气体与液体充分混合,使微细气泡均匀分散在所述的液体中而产生处理介质流体,所述的进料泵输送所产生的处理介质流体,半导体工件暴露于该处理介质流体中而被实施湿化学处理。
地址 联邦德国布格豪森