| 发明名称 | 激光处理方法 | ||
| 摘要 | 一种激光处理设备提供一加热腔，一用于激光照射的腔以及一机器人臂，其中在其上形成用激光照射的硅膜的基片的温度在加热腔中被加热到450-750℃，接着用激光照射该硅膜，结果能得到具有单晶或能够被认为是单晶的硅膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1122953A | 申请公布日期 | 1996.05.22 |
| 申请号 | CN95115832.5 | 申请日期 | 1995.07.28 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 寺本聪;大谷久;宫永昭治;滨谷敏次;山崎舜平 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 萧掬昌;马铁良 |
| 主权项 | 1.一种激光处理方法包括：引入一种促进非晶硅膜结晶化的金属元素到该非晶硅膜中的步骤；对该非晶硅膜进行热处理，以便晶化该非晶硅膜的步骤；以及在样品保持在热处理步骤温度的±100℃范围内的温度上的条件下用激光照射在热处理步骤结晶化的硅膜的步骤。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||