| 主权项 |
1. 一种式IB之杂芳族化合物 其中虚线是介于碳原子及Z@su3或介于碳原子及Z@su4 间之 双键, R@su1是C@ss1-C@ss4-烷氧基或C@ss1-C@ss4-烷胺基; A是一个直接键;亚甲基、乙烯基、 -(CH@ss2)@ssn-O-, n是1或2; B是氢,卤素,经C@ss1-C@ss6-烷基,卤原子,硝基,C@ ss1-C@ss6-烷氧基, C@ss1-C@ss4-烷氧羰基,CR@sux=NOR@suy或 取代之 苯基,或为6-氯- 基,苯基,C@ss1-C@ss4-烷基, , 基, R为C@ss1-C@ss4-烷基,且R@sux和R@suy为C@ss1-C@ss8- 烷基或C@ss1-C@ss8-烯基; U是NOR或CHR,其中R为C@ss1-C@ss4-烷基; X是氢、卤素、C@ss1-C@ss4-烷基、未经取代或经取代 之 苯基、-S-C@ss1-C@ss4-烷基, -S-C@ss1-C@ss4-烷基或-S-C@ss1-C@ss4-烷基; m是1或2,且当m是2时X基团可不同; Z@su3及Z@su4,加上与其键结之碳原子可形成6员杂环, 除了碳环成员外含有二个氮原子,或5员杂芳系物, 除了 碳环成员外含有一或二个氮原子或一个氮原子及 一个氧或 一个硫原子或单独一个硫原子, 及其植物可耐受之酸加成产物,及硷加成产物。2. 一种式IA之杂芳族化合物 其中虚线是介于碳原子及Z@su1或介于碳原子及Z@su2 间之 双键, R@su1是C@ss1-C@ss4-烷氧基或C@ss1-C@ss4-烷胺基; R@su2是C@ss1-C@ss6-烷基; A是一个直接键;亚甲基、乙烯基、 -(CH@ss2)@ssn-O-, n是1或2; B是氢,卤素,经C@ss1-C@ss6-烷基,卤原子,硝基,C@ ss1-C@ss6-烷氧基,C@ss1-C@ss4-烷氧羰基,CR@sux=NOR @suy或取代之苯基,或为6-氯- 基,苯基,C@ss1-C@ ss4-烷基,, 基, R为C@ss1-C@ss4-烷基,且R@sux和R@suy为C@ss1-C@ss8- 烷基或C@ss1-C@ss8-烯基; X是氢、卤素、C@ss1-C@ss4-烷基、未经取代或经取代 之 烷基、-S-C@ss1-C@ss4-烷基, -S-C@ss1-C@ss4-苯基或-S-C@ss1-C@ss4-烷基; m是1或2,且当m是2时X基团可不同; Y为氧或硫; Z@su1及Z@su2,加上与其键结之碳原子形成6员杂芳族 结 构,除了碳环成员外含有二个或三个氮原子,或5员 杂芳 族结构,除了碳环成员外含有二或三个氮原子或一 或二个 氮原子及一个氧或一个硫原子, 及其植物可耐受之酸加成产物,及硷加成产物。3. 根据申请专利范围第1项之式IB之杂芳族,化合物其 中 A是-CH@ss2-O-,-CH@ss2-S-,-CH@ss2-O-C(=O)-或-CH@ ss2-O-N=C(CH@ss3)-。4. 根据申请专利范围第2项之式IA 之杂芳族化合物,其中 A是-CH@ss2-O-,-CH@ss2-S-,-CH@ss2-O-C(=O)-或-CH@ ss2-O-N=C(CH@ss3)-。5. 根据申请专利范围第1项之杂芳 族化合物,此化合物如 式Ⅱ B 其中R@su1.U、A及B具有根据申请专利范围第1项之定 义 ,且R@su9是H、C@ss1-C@ss4-烷基或未经取代或经取代之 苯基。6. 根据申请专利范围第2项之杂芳族化合物 ,此化合物如 式Ⅱ A 其中R@su1.R@su2.Y、A及B具有根据申请专利范围第2项 之定义,且R@su9是H、C@ss1-C@ss4-烷基或未经取代或经 取代之苯基。7. 根据申请专利范围第1项之杂芳族 化合物,此化合物如 式Ⅲ B 其中R@su1.U、A及B具有根据申请专利范围第1项之定 义 。8. 根据申请专利范围第2项之杂芳族化合物,此 化合物如 式Ⅲ A 其中R@su1.R@su2.Y、A及B具有根据申请专利范围第2项 之定义。9. 根据申请专利范围第1项之杂芳族化合 物,此化合物如 式IV B 其中R@su1.U、X、A及B具有根据申请专利范围第1项 之定 义。10. 根据申请专利范围第2项之杂芳族化合物, 此化合物 如式IV A 其中R@su1.R@su2.Y、X、A及B具有根据申请专利范围第 2项之定义。11. 根据申请专利范围第1项之杂芳族 化合物,此化合物 如式VB 其中R@su1.U、A及B具有根据申请专利范围第1项之定 义 ,且R@su9是H、C@ss1-C@ss4-烷基或未经取代或经取代之 苯基。12. 根据申请专利范围第2项之杂芳族化合 物,此化合物 如式VA 其中R@su1.R@su2.Y、A及B具有根据申请专利范围第2项 之定义,且R@su9是H、C@ss1-C@ss4-烷基或未经取代或经 取代之苯基。13. 根据申请专利范围第1项之杂芳 族化合物,此化合物 如式VI B 其中R@su1.U、A及B具有根据申请专利范围第1项之定 义 。14. 根据申请专利范围第2项之杂芳族化合物,此 化合物 如式VI A 其中R@su1.R@su2.Y、A及B具有根据申请专利范围第2项 之定义。15. 根据申请专利范围第1项之杂芳族化 合物,此化合物 如式VII B 其中R@su1.U、A及B具有根据申请专利范围第1项之定 义 。16. 根据申请专利范围第2项之杂芳族化合物,此 化合物 如式VII A 其中R@su1.R@su2.Y、A及B具有根据申请专利范围第2项 之定义。17. 根据申请专利范围第1项之杂芳族化 合物,此化合物 如式VIII 其中R@su1.U、A及B具有根据申请专利范围第1项之定 义 。18. 根据申请专利范围第1项之杂芳族化合物,此 化合物 如式IX B 其中R@su1.U、A及B具有根据申请专利范围第1项之定 义 。19. 根据申请专利范围第2项之杂芳族化合物,此 化合物 如式IX A 其中R@su1.R@su2.Y、A及B具有根据申请专利范围第2项 之定义。20. 根据申请专利范围第1项之杂芳族化 合物,此化合物 如XB 其中R@su1.U、A及B具有根据申请专利范围第1项之定 义 。21. 根据申请专利范围第2项之杂芳族化合物,此 化合物 如XA 其中R@su1.R@su2.Y、A及B具有根据申请专利范围第2项 之定义。22. 根据申请专利范围第1项之杂芳族化 合物,此化合物 如式XIB 其中R@su1.U及X具有根据申请专利范围第1项之定义 。23. 根据申请专利范围第2项之杂芳族化合物,此 化合物 如式XIA 其中R@su1.R@su2.Y及X具有根据申请专利范围第2项之 定义。24. 根据申请专利范围第1项之杂芳族化合 物,此化合物 如式XII 其中R@su1.U及X具有根据申请专利范围第1项之定义 。25. 根据申请专利范围第1项之杂芳族化合物,此 化合物 如式XIIIB 其中R@su1.U、A及B具有根据申请专利范围第1项之定 义 。26. 根据申请专利范围第2项之杂芳族化合物,此 化合物 如式XIIIA 其中R@su1.R@su2.Y、A及B具有根据申请专利范围第2项 之定义。27. 根据申请专利范围第1项之杂芳族化 合物,此化合物 如式XIVB 其中R@su1.U及X具有根据申请专利范围第1项之定义 。28. 根据申请专利范围第2项之杂芳族化合物,此 化合物 如式XIVA 其中R@su1.R@su2.Y及X具有根据申请专利范围第2项之 定义。29. 根据申请专利范围第1项之杂芳族化合 物,此化合物 如式XVB 其中R@su1.U、A及B具有根据申请专利范围第1项之定 义 ,且R@su9是氢、C@ss1-C@ss4-烷基或未经取代或经取代 之苯基。30. 根据申请专利范围第2项之杂芳族化 合物,此化合物 如式XVA 其中R@su1.R@su2.Y、A及B具有根据申请专利范围第2项 之定义,且R@su9是氢、C@ss1-C@ss4-烷基或未经取代或 经取代之苯基。31. 根据申请专利范围第1项之式IB 之杂芳族化合物,其 中-A-B是-CH@ss2-Br。32. 根据申请专利范围第2项之式 IA之杂芳族化合物,其 中-A-B是-CH@ss2-Br。33. 根据申请专利范围第1项之式 IB之杂芳族化合物,其 中-A-B是-CH@ss3。34. 根据申请专利范围第2项之式IA 之杂芳族化合物,其 中-A-B是-CH@ss3。35. 一种杀真菌剂,含有惰性载剂及 杀真菌量之式IB之杂 芳族化合物: 其中虚线是介于碳原子及Z@su3或介于碳原子及Z@su4 间之 双键, R@su1是C@ss1-C@ss4-烷氧基或C@ss1-C@ss4-烷胺基; A是一个直接键;亚甲基、乙烯基、 -(CH@ss2)@ssn-O-, n是1或2; B是氢,卤素,经C@ss1-C@ss6-烷基,卤原子,硝基,C@ ss1-C@ss6-烷氧基,C@ss1-C@ss4-烷氧羰基,CR@sux=NOR @suy或 取代之苯基,或为6-氯- 基,苯基,C @ss1-C@ss4-烷基, , 基, R为C@ss1-C@ss4-烷基,且R@sux和R@suy为C@ss1-C@ss8- 苯基或C@ss1-C@ss8-烯基; U是NOR或CHR,其中R为C@ss1-C@ss4-烷基; X是氢、卤素、C@ss1-C@ss4-烷基、未经取代或经取代 之 苯基、-S-C@ss1-C@ss4-烷基, -S-C@ss1-C@ss4-烷基或-S-C@ss1-C@ss4-烷基; m是1或2,且当m是2时X基团可不同; Z@su3及Z@su4,加上与其键结之碳原子可形成6员杂环, 除了碳环成员外含有二个氮原子,或5员杂芳系物, 除了 碳环成员外含有一或二个氮原子或一个氮原子及 一个氧或 一个硫原子或单独一个硫原子, 及其植物可耐受之酸加成产物,及硷加成产物。36. 一种杀真菌剂,含有惰性载体及杀真菌量之式IA之 杂 芳族化合物: 其中虚线是介于碳原子及Z@su1或介于碳原子及Z@su2 间之 双键, R@su1是C@ss1-C@ss4-烷氧基或C@ss1-C@ss4-烷胺基; R@su2是C@ss1-C@ss6-烷基; A是一个直接键;亚甲基、乙烯基、 -(CH@ss2)@ssn-O-, n是1或2; B是氢,卤素,经C@ss1-C@ss6-烷基,卤原子,硝基,C@ ss1-C@ss6-烷氧基,C@ss1-C@ss4-烷氧羰基,CR@sux=NOR @suy或 取代之苯基,或为6-氯- 基,苯基,C @ss1-C@ss4-烷基, , 基, R为C@ss1-C@ss4-烷基,且R@sux和R@suy为C@ss1-C@ss8- 烷基或C@ss1-C@ss8-烯基; X是氢、卤素、C@ss1-C@ss4-烷基、未经取代或经取代 之 苯基、-S-C@ss1-C@ss4-烷基, -S-C@ss1-C@ss4-烷基或-S-C@ss1-C@ss4-烷基; m是1或2,且当m是2时X基团可不同; y为氧或硫; Z@su1及Z@su2,加上与其键结之碳原子形成6员杂芳族 结 构,除了碳环成员外含有二个或三个氮原子,或5员 杂芳 族结构,除了碳环成员外含有二或三个氮原子或一 或二个 氮原子及一个氧或一个硫原子, 及其植物可耐受之酸加成产物,及硷加成产物。37. 一种控制真菌之方法,其中真菌或为真菌侵害之 物质 ,植物或种子或土坏,以杀真菌量之式IB之杂芳族化 合物 处理: 其中虚线是介于碳原子及Z@su3或介于碳原子及Z@su4 间之 双键, R@su1是C@ss1-C@ss4-烷氧基或C@ss1-C@ss4-烷胺基; A是一个直接键;亚甲基、乙烯基、 -(CH@ss2)@ssn-O-, n是1或2; B是氢,卤素,经C@ss1-C@ss6-烷基,卤原子,硝基,C@ ss1-C@ss6-烷氧基,C@ss1-C@ss4-烷氧羰基,CR@sux=NOR @suy或 取代之苯基,或为6-氯- 基,苯基,C @ss1-C@ss4-烷基, , 基, R为C@ss1-C@ss4-烷基,且R@sux和R@suy为C@ss1-C@ss8- 烷基或C@ss1-C@ss8-烯基; U是NOR或CHR,其中R为C@ss1-C@ss4-烷基; X是氢、卤素、C@ss1-C@ss4-烷基、未经取代或经取代 之 苯基、-S-C@ss1-C@ss4-烷基, m是1或2,且当m是2时X基团可不同; Z@su3及Z@su4,加上与其键结之碳原子可形成6员杂环, 除了碳环成员外含有二个氮原子,或5员杂芳系物, 除了 碳环成员外含有一或二个氮原子或一个氮原子及 一个氧或 一个硫原子或单独一个硫原子, 及其植物可耐受之酸加成产物,及硷加成产物。38. 一种控制真菌之方法,其中真菌或为真菌侵害之 物质 ,植物或种子或土壤,以杀真菌量之式IA之杂芳族化 合物 处理: 其中虚线是介于碳原子及Z@su1或介于碳原子及Z@su2 间之 双键, R@su1是C@ss1-C@ss4-烷氧基或C@ss1-C@ss4-烷胺基; R@su2是C@ss1-C@ss6-烷基; A是一个直接键;亚甲基、乙烯基、 -(CH@ss2)@ssn-O-, n是1或2; B是氢,卤素,经C@ss1-C@ss6-烷基,卤原子,硝基,C@ ss1-C@ss6-烷氧基, C@ss1-C@ss4-烷氧羰基,CR@sux=NOR@suy或 取代 之苯基,或为6-氯- 基,苯基,C@ss1-C@ss4-烷基, , 基, R为C@ss1-C@ss4-烷基,且R@sux和R@suy为C@ss1-C@ss8- 烷基或C@ss1-C@ss8-烯基; U是NOR或CHR,其中R为C@ss1-C@ss4-烷基; X是氢、卤素、C@ss1-C@ss4-烷基、未经取代或经取代 之 苯基、-S-C@ss1-C@ss4-烷基, m是1或2,且当m是2时X基团可不同; Y为氧或硫; Z@su1及Z@su2,加上与其键结之碳原子形成6员杂芳族 结 构,除了碳环成员外含有二或三个氮原子,或5员杂 芳族 结构,除了碳环成员外含有二或三个氮原子或一或 二个氮 原子及一个氧或一个硫原子 |
