| 主权项 |
2. 如申请专利范围第1项之活性矩阵基体,其中绝 缘膜形 成于覆盖扫描线的表面之绝缘膜上,在形成闸绝缘 膜之同 时。3. 如申请专利范围第1项之活性矩阵基体,其 中具覆盖绝 缘膜的表面的扫描线以具有氧化表面的钽线所形 成。4. 如申请专利范围第1项之活性矩阵基体,其 中该闸绝缘 膜是利用淀积二氧化矽而形成之层。5. 如申请专 利范围第1项之活性矩阵基体,其中在扫描线 和该资料线间之交叉上提供一个衬垫。6. 如申请 专利范围第5项之活性矩阵基体,其中该衬垫包 括与该闸电极相同材料的层。7. 如申请专利范围 第5项之活性矩阵基体,其中该衬垫包 括与构成薄膜电晶体之半导体层相同材料的层。8 . 如申请专利范围第5项之活性矩阵基体,其中该衬 垫包 括与该闸电极相同材料的层,和与构成薄膜电晶体 之该半 导体层相同材料的层。9. 如申请专利范围第1项之 活性矩阵基体,其中一个固有 电容线安装平行于该扫描线而置放,并且在该固有 电容线 和该资料滙流排间的一个交叉上提供一个衬垫。 10. 如申请专利范围第9项之活性矩阵基体,其中该 衬垫 包括与该闸电极相同材料的层。11. 如申请专利范 围第9项之活性矩阵基体,其中该衬垫 包括与构成薄膜电晶体之半导体层相同材料的层 。12. 如申请专利范围第9项之活性矩阵基体,所述 之该衬 垫包括与该闸电极相同材料的层,和与构成薄膜电 晶体之 半导体层相同材料的层的二层结构。13. 如申请专 利范围第1项之活性矩阵基体,其中一个固 有电容线平行于该扫描线安置,并且在该图素电极 和该固 有电容线间重叠提供一个衬垫。14. 如申请专利范 围第13项之活性矩阵基体,其中该衬垫 包括与该闸电极相同材料的层。15. 如申请专利范 围第13项之活性矩阵基体,其中该衬垫 包括与构成薄膜电晶体之半导体层相同材料的层 。16. 如申请专利范围第13项之活性矩阵基体,其中 该衬垫 包括与该闸电极相同材料的层,和与构成薄膜电晶 体之半 导体层相同材料的层的二层结构。17. 如申请专利 范围第1项之活性矩阵基体,其中在该扫 描线和该图素电极间之重叠上提供一个衬垫。18. 如申请专利范围第1项之活性矩阵基体,其中该衬 垫 包括与该闸电极相同材料的层。19. 如申请专利范 围第17项之活性矩阵基体,其中该衬垫 包括与构成薄膜电晶体之半导体层相同材料的层 。20. 如申请专利范围第17项之活性矩阵基体,其中 该衬垫 包括与该闸电极相同材料的层,和与构成薄膜电晶 体之半 导体层相同材料的层的二层结构。21. 如申请专利 范围第1项之活性矩阵基体,其中一个二 氧化矽层和一个氧化钽层的二层结构,放入在该扫 描线和 该资料滙流排间之交叉上。22. 如申请专利范围第 1项之活性矩阵基体,其中一个二 氧化矽层和一个氧化钽层的二层结构,放入在该扫 描线和 该图像电极间之重叠上。23. 如申请专利范围第1 项之活性矩阵基体,其中该闸电 极和该图像电极同时地形成。24. 如申请专利范围 第1项之活性矩阵基体,其中该基体 利用玻璃或陶瓷所制成。25. 如申请专利范围第1 项之活性矩阵基体,其中该基体 由陶瓷,或者具有一个保护性绝缘膜淀积于表面上 的矽板 所制成。图示简单说明: 图1A系本创作第一实施例的活性矩阵基体的结构 上视图; 图1B系图1A中沿A—A'线之薄膜电晶体的剖视图; 图1C系图1A中沿B—B'线之交叉的剖视图; 图2A系传统活性矩阵基体的结构的上视图; 图2B系在2A中沿A—A'线之薄膜电晶体的剖视图; 图3A系根据本创作使用活性矩阵基体之液晶显示 的概略图 ; 图3B系图3A的等效电路; 图4A显示施加于图3A的液晶显示的扫描线之电压讯 号; 图4B显示施加于图3A的液晶显示的薄膜电晶体的闸 电极之 电压讯号; 图5A系具短路缺陷之薄膜电晶体的剖视图; 图5B系具短路缺陷之活性矩阵基体的等效电路图; 图6A,6B和6C系根据本创作第二实施例之活性矩阵基 体结 构视图; 图7系图6的活性矩阵基体的等效电路。 图8系图6的活性矩阵基体的缺陷的例子之图。 图9系图6的活性矩阵基体的缺陷的例子之图。 图10A,10B,10C和10D系根据本创作第三实施例之活性 矩 阵基体之结构视图; 图11系图10的活性矩阵基体的等效电路; 图12A,12B,12C和12D系根据本创作第四实施例之活性 矩 阵基体之结构视图; 图13A和13B系图12的活性矩阵基体的缺陷的例子的 图; 图14A,14B和14C系根据本创作第五实施例之活性矩阵 基 体的结构视图; 图15A,15B和15C系根据本创作第六实施例之活性矩阵 基 体的结构视图; 图16系图15的活性矩阵基体的缺陷的例子之图; 图17A,17B和17C系根据本创作第七实施例之活性矩阵 基 体的结构视图; 图18系根据本创作之活性矩阵基体的视图; 图19A,19B和19C系依照本创作第八实施例之活性矩阵 基 体的结构视图; 图20系图19的活性矩阵基体的等效电路; 图21系多晶薄膜电晶体的特性曲线; 图22A,22B和22C系根据本创作第九实施例之活性矩阵 基 体的结构视图; 图23A和23B系基于本创作之液晶显示之一例图; 图24A和24B系传统液晶显示的之一例图; 图25系像素电极的一边和孔隙比间之关系图;和 图26A和26B系从形成像素电极之ITO膜的不正常膜中 整治 |
