| 发明名称 | 静电放电保护器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种ESD保护器件及在无场氧化物(14)的有源区(13)制造该器件的方法。用光刻技术在半导体基片上形成由一间隔区(29)分隔开的P型掺杂区(22)和N型掺杂区(27)。阳极(33)与P型掺杂区(22)接触，阴极(34)与N型掺杂区(27)接触。ESD保护器件的寄生二极管电阻受间隔区(29)的宽度控制，而后者又受光刻技术的分辨率控制。本发明提供一种降低ESD保护器件的寄生二极管电阻和箝位电压的方法，保护集成电路免受大电压瞬变冲击。 | ||
| 申请公布号 | CN1122519A | 申请公布日期 | 1996.05.15 |
| 申请号 | CN95109683.4 | 申请日期 | 1995.07.31 |
| 申请人 | 摩托罗拉公司 | 发明人 | 巴里·B·海姆;弗里曼·D·科尔伯特 |
| 分类号 | H01L23/60 | 主分类号 | H01L23/60 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种制造静电放电保护器件(10)的方法，其特征在于以下各步骤：提供一第一导电类型的半导体基片，该半导体基片(11)具有一表面(12)；在该半导体基片(11)内形成一第一导电类型的掺杂区(22)；在该半导体基片(11)内形成一第二导电类型的掺杂区(27)；以及形成第一电极(33)和第二电极(34)，该第一电极(33)与第一导电类型的掺杂区(22)接触，而第二电极(34)与第二导电类型的掺杂区(27)接触。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺斯 | ||