| 主权项 |
1. 一种积体电路接触窗之边壁平缓制程,其步骤包 含: 准备一半导体矽基板之顶面内部形成一掺有杂质 之区域, 矽基板上并有多数个闸层介电质及复晶矽; 在矽基板以及复晶矽上表面覆以一层多层式绝缘 层; 在多层式绝缘层上覆以光阻剂并以微像成影及显 影技术定 义出所需之接触窗之图形,依此图形定义出接触窗 之图形 ,且此接触窗之尺寸略大于实际接触窗之尺寸; 以电浆蚀刻制程法进行异向性蚀刻,使接触窗区内 之多层 式绝缘层被蚀刻掉大约一半的厚度,并在多层式绝 缘层在 接触窗内形成边壁; 去除光阻剂,以使多层式绝缘层之表面露出; 以化学气相沉积法在多层式绝缘层之表面均匀的 沉积一层 绝缘层; 再以电浆蚀刻制程法对绝缘层做异向性蚀刻以去 除该绝缘 层,并使接触窗内之绝缘层在边壁形成一倾斜之侧 壁; 最后以电浆蚀刻制程法对多层式绝缘层及侧壁做 异向性蚀 刻,直至位于接触窗内之矽基板露出为止。2. 如申 请专利范围第1项所述之积体电路接触窗之边壁平 壁制程,其中该多层式绝缘层系以化学气相沉积法 沉积而 成之二层绝缘层,其下层为厚度约500至1500埃之未 掺杂 质之氧化矽,而上层为厚度约5000至12000埃之硼磷玻 璃 。3. 如申请专利范围第1项所述之积体电路接触窗 之边壁平 缓制程,其中该绝缘层之组成成份系为硼磷玻璃, 其厚度 约700至3000埃。4. 如申请专利范围第1项所述之积 体电路接触窗之边壁平 缓制程,其中电浆蚀刻处理中用以蚀刻之气体为二 氟二氯 甲烷。5. 如申请专利范围第1项所述之积体电路接 触窗之边壁平 缓制程,其中电浆蚀刻处理中用以蚀刻之气体为三 氟甲烷 及氟甲烷。6. 如申请专利范围第1项所述之积体电 路接触窗之边壁平 缓制程,其中电浆蚀刻处理中用以蚀刻之气体为三 氟甲烷 及氧气。7. 如申请专利范围第1项所述之积体电路 接触窗之边壁平 缓制程,其中电浆蚀刻处理中用以蚀刻之气体为二 氟乙烷 。8. 如申请专利范围第1项所述之积体电路接触窗 之边壁平 缓制程,其中蚀刻单层绝缘层以及蚀刻多层式绝缘 层之处 理过程系在同一密闭容器内一次蚀刻完成。9. 一 种积体电路金属连络窗之边壁平缓制程,其步骤包 含: 准备一覆有一下层多层式绝缘层之积体电路半导 体元件, 该下层多层式绝缘层上之部份之表面并有金属形 成于其上 ; 在下层多层式绝缘层表面以及金属表面再覆上一 上层多层 式绝缘层; 在上层多层式绝缘层上覆以光阻剂并以微像成影 及显影技 术定义出所需之金属连络窗之图形,此金属连络窗 之尺寸 略大于实际金属连络窗之尺寸; 以电浆蚀刻制程法进行异向性蚀刻,使金属连络窗 内之上 层多层式绝缘层被蚀刻掉大约一半的厚度,并使上 层绝缘 层在金属连络窗内形成边壁; 去除光阻剂,以使上层多层式绝缘层之表面露出; 以化学气相沉积法在上层多层式绝缘层之表面以 及中空部 份之表面上均匀的沉积一层单层式绝缘层; 再以电浆蚀刻处理法对单层式绝缘层做异向性蚀 刻,使金 属连络窗内之单层式绝缘层在边壁形成一倾斜之 侧壁; 最后以电浆蚀刻制程法对上层多层式绝缘层及侧 壁做异向 性蚀刻以至位于金属连络窗内之金属露出为止。 10. 如申请专利范围第9项所述之积体电路电金属 连络窗 之边壁平缓制程,其中上层及下层多层式绝缘层皆 包含有 三层绝缘层,该三层中之最下层为以化学气相沉积 法沉积 而成厚度约1000至3000埃之氧化矽,中间层为以旋转 附着 处理法形成之厚度约为2000至6000埃之SOG层,而最上 层 为以化学气相沉积法沉积而成厚度约为3000至9000 埃之氧 化矽。11. 如申请专利范围第9项所述之积体电路 金属连络窗之 边壁平缓制程,其中上层多层式绝缘层包含有三层 绝缘层 ,该三层中之最下层为以化学气相沉积法沉积而成 厚度约 1000至3000埃之氧化矽,中间层为以旋转附着处理法 形成 之厚度约2000至6000埃之SOG层,而最上层为以化学气 相 沉积法沉积而成厚度约为3000至9000埃之氧化矽;其 中下 层多层式绝缘层系以化学气相沉积法沉积而成之 二层绝缘 层,该二层之下层为厚度约500至1500埃之未掺杂质 之氧 化矽,而上层为厚度约5000至12000埃之硼磷玻璃。12. 如申请专利范围第9项所述之积体电路金属连络 窗之 边壁平缓制程,其中该单层式绝缘层之组成成份系 为硼磷 玻璃,其厚度约700至3000埃。13. 如申请专利范围第9 项所述之积体电路金属连络窗之 边壁平缓制程,其中电浆蚀刻处理中用以蚀刻之气 体为二 氟二氯甲烷。14. 如申请专利范围第9项所述之积 体电路金属连络窗之 边壁平缓制程,其中电浆蚀刻处理中用以蚀刻之气 体为三 氟甲烷及氟甲烷。15. 如申请专利范围第9项所述 之积体电路金属连络窗之 边壁平缓制程,其中电浆蚀刻处理中用以蚀刻之气 体为三 氟甲烷及氧气。16. 如申请专利范围第9项所述之 积体电路金属连络窗之 边壁平缓制程,其中电浆蚀刻处理中用以蚀刻之气 体为二 氟乙烷。17. 如申请专利范围第9项所述之积体电 路金属连络窗之 边壁平缓制程,其中蚀刻单层式绝缘层以及蚀刻上 层多层 式绝缘层之处理过程系在同一密闭容器内一次蚀 刻完成。图示简单说明: 图一A至图一D系习知之制造方法示意图。 图二系本发明作为起始材料之半成品之剖面结构 图。 图三系将图二中之半成品以电浆蚀刻制程施以异 向性蚀刻 所得之中间制品之剖面结构图。 图四系将图三中之中间制品除去光阻剂及施以化 学气相沉 积法后所得之中间制品之剖面结构图。 图五系将图四中之中间制品以电浆蚀刻制程对绝 缘层施以 异向性蚀刻后所得之中间制品之剖面图。 图六系本发明最后形成接触窗之剖面结构图。 图七系本发明第二实施例作为起始材料之半成品 之剖面图 。 图八系本发明第二实施例中,以电浆蚀刻制程作异 向性蚀 刻多层式绝缘层之剖面图。 图九系本发明第二实施例中,在多层式绝缘层上沉 积一层 绝缘层之剖面图。 图十系本发明第二实施例中,以电浆蚀刻制程作异 向性蚀 刻图九所沉积之绝缘层后所形成之剖面图。 图十一系本发明第二实施例中,最后形成金属连络 窗之剖 |
