| 主权项 |
1. 一种同时形成钛钨合金扩散障碍层与金属矽化 物浅接 触之方法,其步骤包括: (a) 共同沈积(Co-deposition)一层钴—钛(Co-Ti)于一矽 (Si)基板上; (b) 沈积一层钨(W)于该矽基板之Co-Ti层上,俾形成W/ Co -Ti/Si结构; (c) 对该W/Co-Ti/Si结构施行退火处理,俾同时形成TiW /CoSi@ss2/Si结构;其中,W与Ti之重量比可为910% ,且该退火处理系可于620—760℃之温度下完成。2. 如申请专利范围第1项所述之同时形成钛钨合金扩 散障 碍层与金属矽化物浅接触之方法,其中步骤(a)中之 沈积 系以溅镀法(Sputtering)为之。3. 如申请专利范围第1 项所述之同时形成钛钨合金扩散障 碍层与金属矽化物浅接触之方法,其中步骤(a)中之 沈积 系以双枪式电子束蒸镀法(Dual Electron Beam GunEvaporation)为之。4. 如申请专利范围第1项所述之 同时形成钛钨合金扩散障 碍层与金属矽化物浅接触之方法,该层W之厚度及Co -Ti的 厚度及元素比例系使Co于退火处理后恰能与Si完全 反应成 CoSi@ss2且Co-Ti中之Ti全部溶于W中形成TiW重量百分比 为10:90之TiW合金。5. 如申请专利范围第1项所述之 同时形成钛钨合金扩散障 碍层与金属矽化物浅接触之方法,其中步骤(c)中之 退火 处理系于氮气高温炉中完成。6. 如申请专利范围 第1项所述之同时形成钛钨合金扩散障 碍层与金属矽化物浅接触之方法,该退火处理系一 次退火 处理。7. 如申请专利范围第1项所述之同时形成钛 钨合金扩散障 碍层与金属矽化物浅接触之方法,其中Co-Ti中之Co 与Ti 之原子数比为63:37。8. 一种同时形成钛钨合金扩 散障碍层与金属矽化物浅接 触之方法,其步骤包括: (a) 沈积一层铂—钛(Pt-Ti)于一矽(Si)基板上; (b) 沈积一层钨(W)于该矽基板之Pt-Ti层上,俾形成W/ Pt-Ti/Si结构; (c) 对该W/Pt-Ti/Si结构实施退火处理,俾同时形成 TiW/PtSi/Si结构;其中,W与Ti之重量比可为910%, 且该退火处理系可于620—720℃之温度下完成。图 示简单说明: 第一图(a):系本案W/Co-Ti/Si之结构示意图。 第一图(b):系本案W/Co-Ti/Si之结构经一次退火后所 形成之TiW/CoSi@ss2/Si结构示意图。 第二图(a):系沉积W/Co-Ti结构于一刻有图样之矽晶 板 上之示意图。 第二图(b):经退火处理后,该矽晶板上之元件区的 结构 转为TiW/CoSi@ss2/Si之示意图。 第二图(c):TiW/CoSi@ss2/Si之AES纵深剖面图。 第三图:系以本案方法制备之A1/TiW/CoSi@ss2/P@su+ n二极体之特性曲线图。 第四图:其显示了元件区外之二氧化矽(SiO@ss2)上的 W( 400@fc(2.frch)8)/Co@ss6@ss3Ti@ss3@ss7(360@fc(2. frch)8)经760℃,30分钟之退火处理后所测得之AES纵深 |
