In gemischter Technologie hergestellte integrierte Schaltung mit CMOS-Strukturen und leistungsfähigen lateralen Bipolartransistoren mit erhöhter Early-Spannung und Herstellungsverfahren dafür
摘要
申请公布号
DE68925116(T2)
申请公布日期
1996.05.09
申请号
DE19896025116T
申请日期
1989.06.28
申请人
SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L., AGRATE BRIANZA, MAILAND/MILANO, IT
