发明名称 Improved sense circuit for storage devices such as non-volatile memories, with compensated offset current
摘要
申请公布号 EP0486743(B1) 申请公布日期 1996.05.08
申请号 EP19900830530 申请日期 1990.11.19
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L. 发明人 PASCUCCI, LUIGI;OLIVO, MARCO
分类号 G11C17/00;G11C7/14;G11C16/06;G11C16/28;(IPC1-7):G11C16/06;G11C7/00 主分类号 G11C17/00
代理机构 代理人
主权项
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