发明名称 |
薄膜传感元件及其制造方法 |
摘要 |
本发明旨在提供小型、轻量、精度高且成本低的加速度传感元件及热电式红外线传感元件等薄膜传感元件。在平板型KBr基板1的表面利用等离子体MOCVD法形成以基板表面垂直方向为结晶取向(100)方向的岩盐式晶体结构氧化物膜12,利用溅射法在其表面外延生长PZT膜4,然后在其表面形成Ni-Cr电极膜15,将上述多层膜反转后用粘接剂20粘接到有穿通的空间部分的传感器基板7上,将接续电极19连接后,通过整体进行水洗处理,除去KBr基板1。 |
申请公布号 |
CN1121999A |
申请公布日期 |
1996.05.08 |
申请号 |
CN95101916.3 |
申请日期 |
1995.02.07 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
鸟井秀雄;鎌田健;林重德;高山良一;平尾孝;服部益三 |
分类号 |
G01D5/24;G01P15/125;H01L49/02 |
主分类号 |
G01D5/24 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
董江雄;叶恺东 |
主权项 |
1.一种薄膜传感元件,其特征在于:将至少由电极膜A、具有(100)面取向的电极膜B和上述电极膜A与上述电极膜B之间存在的压电性电介质氧化物膜构成的多层膜构造体固定在其中央部附近具有略呈矩形剖面的开口部的传感器保持基板上。 |
地址 |
日本大阪 |