Verfahren zum Herstellen einer abgeschiedenen Schicht, und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung,申请号DE19906026178-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zum Herstellen einer abgeschiedenen Schicht, und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
摘要
申请公布号	DE69026178(D1)	申请公布日期	1996.05.02
申请号	DE19906026178	申请日期	1990.09.25
申请人	CANON K.K., TOKIO/TOKYO, JP	发明人	MATSUMOTO, SHIGEYUKI, C/O CANON KABUSHIKI KAISHA, SHIMOMARUKO, OHTA-KU, TOKYO, JP;IKEDA, OSAMU, C/O CANON KABUSHIKI KAISHA, SHIMOMARUKO, OHTA-KU, TOKYO, JP;OHMI, KAZUAKI, C/O CANON KABUSHIKI KAISHA, SHIMOMARUKO, OHTA-KU, TOKYO, JP
分类号	H01L21/285;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/285;H01L21/320	主分类号	H01L21/285
代理机构		代理人
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