Mit einer Schottky-Sperrschicht versehene, bipolare Halbleiteranordnung mit isolierter Steuerelektrode und Verfahren zu deren Herstellung,申请号DE1989626098-传众专利搜索

发明名称	Mit einer Schottky-Sperrschicht versehene, bipolare Halbleiteranordnung mit isolierter Steuerelektrode und Verfahren zu deren Herstellung
摘要
申请公布号	DE68926098(D1)	申请公布日期	1996.05.02
申请号	DE1989626098	申请日期	1989.11.07
申请人	MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO, JP	发明人	HAGINO, HIROYASU C/O MITSUBISHI DENKI K.K., ITAMI-SHI HYOGO, JP
分类号	H01L29/68;H01L21/331;H01L29/08;H01L29/739;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/739;H01L29/47	主分类号	H01L29/68
代理机构		代理人
主权项
地址