| 主权项 |
1.一种在多晶硅层表面上带有预定薄层电阻的第一金属硅化物连续层的制造方法，该多晶硅层形成在氧化物层上，而氧化物形成在单晶硅衬底上，当制造半导体器件上的导体有别于金属氧化物半导体场效应晶体管的栅电极时，所述第一金属硅化物只有在超过0.6倍的所述第一金属硅化物溶解的绝对温度下才呈现高温不稳定性，所述方法包括下列顺序步骤：在所述单晶硅衬底上形成所述氧化层；在所述氧化层上形成所述多晶硅层；淀积一层第二金属，所述第二金属能够形成第二金属硅化物，使其只在超过0.6倍的所述第二金属硅化物熔解的绝对温度下才呈现高温不稳定性，所述第二金属这样选择，使得在由所述第二金属硅化物呈现出高温不稳定性的温度高于所述半导体器件在制造或随后的工作期间应经历的温度；在第二金属的所述层上淀积一层所述第一金属；迅速将上述步骤所得结构退火，以使所述第一金属和所述多晶硅层起反应，结果形成所述第一金属硅化物层，并使所述第二金属和所述多晶硅层起反应，结果形成一层所述第二金属硅化物层；以及此后有意识地使从所述退火得到的结构处在高于所述第一金属硅化物熔解的绝对温度的0.6倍的高温、但低于所述第二金属硅化物熔解的绝对温度下几分钟，由于所述高温，所述第二金属硅化物抢先在所述第一金属硅化物层出现断续性，如果所述第一金属硅化物直接毗连所述多晶硅层就会出现这种断续性，而且会使所述薄层电阻不合乎需要地提升到高于所述预定值。 |
