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发明名称
SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING RECESS GATE STRUCTURE
摘要
申请公布号
JPH08111522(A)
申请公布日期
1996.04.30
申请号
JP19940244207
申请日期
1994.10.07
申请人
NEC CORP
发明人
TOKUSHIMA MASATOSHI
分类号
H01L21/20;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812;(IPC1-7):H01L29/778
主分类号
H01L21/20
代理机构
代理人
主权项
地址
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