| 摘要 |
一种制货诙忆体晶胞电容器的方法，其步骤包括(1)在半导体基底1制作所需元件后，在晶片1的整个表面沉积绝缘层2，形成电容器节点接触。和利用光有蚀刻制程，蚀刻绝缘层2的预先决定部份。(2)沉积渗杂质聚矽层3 ，因此制作一个接触连接电容器电极和源极／泄极区(3)利用光蚀刻制程在电容器储存电极的部份上形成窗口55，和沉积氧化矽层6和氮化矽层5。(4)在聚矽3、氧化矽层6和氮化矽层5的露出表面上，沉积具有许多峰44和谷42的半球聚矽层4。(5)沉积氧化矽62和蚀刻，因此在聚矽用其余氧化矽层62当光罩，在聚矽层3形成多个聚矽突出23。(7)利用湿刻制程，移开氧化矽层6和62。(8)沉积聚亚胺层7和蚀刻这聚亚胺层7，因此露出氮化矽层5的表面。(9)利用湿蚀刻移开氮化矽层5，形成电容器储存电极36。使用该聚亚胺层7当成光罩蚀刻聚矽层3，和移开聚亚胺层7。在步骤(2)利用温度500℃或以上的LPCVD制程，掺杂质聚矽层3厚度200CC或更厚。在步骤(4)在SiH4气体环境，温度560~600℃和压力0.1~10托佚件下，实施半球聚矽沉积制程，半球聚矽层厚度大约1000CC，或在Si2H6气体环境，温度560~610℃和大气 压力0.1~1托条件下，实施半球聚矽沈积制程，半球聚矽层厚度大约1000CC。 |
