Kristallzuchtverfahren für Halbleiter auf Galliumnitrid-Basis.,申请号DE1992603736T-传众专利搜索

发明名称	Kristallzuchtverfahren für Halbleiter auf Galliumnitrid-Basis.
摘要
申请公布号	DE69203736(T2)	申请公布日期	1996.04.18
申请号	DE1992603736T	申请日期	1992.01.30
申请人	NICHIA KAGAKU KOGYO K.K., ANAN, TOKUSHIMA, JP	发明人	NAKAMURA, SHUJI, C/O NICHIA KAGAKU KOGYO K.K., ANAN-SHI, TOKUSHIMA-KEN, JP
分类号	H01L21/205;C30B25/02;H01L21/20;H01L33/12;H01L33/32;H01S5/00;(IPC1-7):C30B25/02	主分类号	H01L21/205
代理机构		代理人
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