| 发明名称 | 高功率激光二极管驱动器 | ||
| 摘要 | 一种利用将储能电容器和光激励的类似可控硅结构的p<SUP>+</SUP>-n-i-p-n<SUP>+</SUP>半导体开关集成在单片衬底上的单片半导体器件的激光二极管驱动器，能够实现高可靠、高效率以及高脉冲重复频率。 | ||
| 申请公布号 | CN1120752A | 申请公布日期 | 1996.04.17 |
| 申请号 | CN95105043.5 | 申请日期 | 1995.04.17 |
| 申请人 | 科斯默激光株式会社 | 发明人 | 郑亨东 |
| 分类号 | H01S3/18 | 主分类号 | H01S3/18 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种激光二极管驱动器，包括集成在一片衬底上的一个储能电容器和一个光激励半导体开关，其中，所说光激励半导体开关具有一种类似可控硅的结构。 | ||
| 地址 | 韩国汉城 | ||