首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Plasmaverfahren zur Herstellung von Nitriden bei niedriger Temperatur und Verwendung von nach diesem Verfahren hergestellten Nitridschichten.
摘要
申请公布号 DE3650361(T2) 申请公布日期 1996.04.11
申请号 DE19863650361T 申请日期 1986.04.08
申请人 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP., CUPERTINO, CALIF., US 发明人 KEYSER, THOMAS, PALM BAY FLORIDA 32906, US;CAIRNS, BRUCE R., LOS ALTOS HILLS CALIFORNIA, US;ANAND, KRANTI V., SUNNYVALE CALIFORNIA 94087, US;PETRO, WILLIAM G., CUPERTINO CALIFORNIA 95014, US;BARRY, MICHAEL L., PALO ALTO CALIFORNIA 94301, US
分类号 H01L21/28;H01L21/318;H01L21/762;H01L21/763;H01L29/51;(IPC1-7):H01L21/318;H01L29/43 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com