发明名称 Process for the sputter-deposition of a planarizing layer containing aluminium in the fabrication of integrated circuits
摘要 Die Sputterabscheidung wird während der Aufheizphase des Substrats, bei der die Substrattemperatur von der Raumtemperatur bis zur Verfließtemperatur erhöht wird, durchgeführt. Dadurch lassen sich die sonst auftretenden Schichtdefekte vermeiden.
申请公布号 EP0706205(A2) 申请公布日期 1996.04.10
申请号 EP19950114656 申请日期 1995.09.18
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 JOSWIG, HELLMUT, DR., DIPL.-PHYS.;HELNEDER, JOHANN
分类号 C23C14/34;C23C14/18;C23C14/54;H01L21/203;H01L21/285;H01L21/3205;(IPC1-7):H01L21/285 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人
主权项
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