发明名称 |
Process for the sputter-deposition of a planarizing layer containing aluminium in the fabrication of integrated circuits |
摘要 |
Die Sputterabscheidung wird während der Aufheizphase des Substrats, bei der die Substrattemperatur von der Raumtemperatur bis zur Verfließtemperatur erhöht wird, durchgeführt. Dadurch lassen sich die sonst auftretenden Schichtdefekte vermeiden.
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申请公布号 |
EP0706205(A2) |
申请公布日期 |
1996.04.10 |
申请号 |
EP19950114656 |
申请日期 |
1995.09.18 |
申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
JOSWIG, HELLMUT, DR., DIPL.-PHYS.;HELNEDER, JOHANN |
分类号 |
C23C14/34;C23C14/18;C23C14/54;H01L21/203;H01L21/285;H01L21/3205;(IPC1-7):H01L21/285 |
主分类号 |
C23C14/34 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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